1 总则

1.0.1 为规范薄膜太阳能电池工厂设计，提高该类工程的设计水平，达到节约能源、保护环境、技术先进、经济合理和确保质量的要求，制定本标准。

1.0.2 本标准适用于新建、改建、扩建的薄膜太阳能电池工厂的设计。

1.0.3 薄膜太阳能电池工厂设计除应执行本标准外，尚应符合国家现行有关标准的规定。

条文说明

1.0.2 薄膜太阳能电池主要分为非晶硅（Amorphous Silicon, a-Si）、微晶硅（NanoCrystalline Silicon,nc-Si,MicrocCrystalline Silicon,mc-Si）、低温多晶硅（Low Temperature Poly-Si）、化合物半导体Ⅱ-VI族[硫化镉（CdS）、碲化镉（CdTe）、铜铟硒化物（CIS：CulnSe₂）、铜钢镓硒（CIGS:CulnGaSe₂）]、Ⅲ-V族化合物碑化镓（GaAs）、染料敏化太阳能电池（Dye-Sensitized Solar Cell，简称DSSC）、有机导电高分子（（）rganic/Polymer Solar Cells）、球状硅、纳米材料（纳米TiO₂晶体）等。随着技术的不断发展及工艺生产水平的提高，还会有新产品不断出现。

本标准所述薄膜太阳能电池主要是指以硅基（包括非晶硅和微晶硅）、碲化镉、铜铟镓硒、砷化镓薄膜制作的太阳能电池。

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