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5.7 分析检测
5.7.1 多晶硅工厂应设置单独的分析检测室,并宜在四氯化硅氢化、还原尾气干法回收、三废处理站等装置区内设置在线分析装置。
5.7.2 分析检测室不应与甲、乙类房间布置在同一防火分区内,可独立设置于一侧。
5.7.3 分析检测应包括下列内容:
1 氯硅烷的含量、杂质、含碳化合物分析;
2 硅粉的含量、杂质、粒度、碳含量分析;
3 液氩中氧、氮含量分析;
4 液氮中氧含量的分析,氮气中氢含量、氧含量和露点分析;
5 氢气中氧含量、氮含量、氯硅烷含量、露点分析;
6 水中氯离子(Cl-)、氟离子(F-)、化学含氧量(COD)、生化需氧量(BOD)、酸碱度(pH值)、硬度、全碱度、悬浮物、总磷、正磷分析;
7 大气中氯化氢、氟化物、氮氧化物分析;
8 多晶硅质量指标分析,指标分析包括多晶硅的导电类型、电阻率、少子寿命、氧含量、碳含量、表面金属杂质含量、体金属杂质含量的分析;
9 合成原料氯化氢的纯度分析;
10 液氯中三氯化氮、水含量分析。
5.7.4 分析检测室中除化学分析外,其他分析检测室应设置在洁净区。
5.7.1 为了准确和及时反映生产情况,需要对部分气体进行在线分析和就近取样分析,而且取样管道不宜过长,以免出现冷凝现象影响分析结果,因此需要在装置内设置分析检测室和在线分析装置。
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