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1 总则
1.0.1 为规范多晶硅工厂的工程设计,提高工程设计质量,做到技术先进、经济合理、安全可靠、环保节能,制定本规范。
1.0.2 本规范适用于采用三氯氢硅氢还原法的新建、扩建和改建多晶硅工厂的工程设计,也适用于硅烷歧化法多晶硅厂中三氯氢硅合成、四氯化硅氢化和氯硅烷提纯的工程设计。
1.0.3 多晶硅工厂设计应积极采用节能、环保、高效、先进的装备和工艺,提高资源、能源利用率,实现物料、能源综合利用和清洁生产。
1.0.4 多晶硅工厂设计除应符合本规范外,尚应符合国家现行有关标准的规定。
1.0.1 本条提出的“技术先进、经济合理、安全可靠、环保节能”是国家的基本技术经济政策,也是多晶硅工厂设计应贯彻实施的方针;建设资源节约型、环境友好型社会,发展循环经济是国家经济发展的一项重大战略思想。
1.0.2 已经实现工业化生产的多晶硅生产工艺有冶金法、三氯氢硅氢还原法以及硅烷法等,其中三氯氢硅氢还原工艺成熟,适合大规模工业化生产,是目前国内外主流生产工艺,采用此方法的产能占多晶硅总产能的85%以上。本规范适用于三氯氢硅氢还原生产工艺;以歧化工艺为主的硅烷法的三氯氢硅合成、四氯化硅氢化和精馏环节与三氯氢硅氢还原工艺基本相同,也按本规范的有关规定执行。
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- 前言
 - 1 总则
 - 2 术语
 - 3 基本规定
 - 4 厂址选择及厂区规划
 - 4.1 厂址选择
 - 4.2 厂区规划
 - 5 工艺设计
 - 5.1 一般规定
 - 5.2 三氯氢硅合成和四氯化硅氢化
 - 5.3 氯硅烷提纯
 - 5.4 三氯氢硅氢还原
 - 5.5 还原尾气干法回收
 - 5.6 硅芯制备及多晶硅产品后处理
 - 5.7 分析检测
 - 6 电气及自动化
 - 6.1 电气
 - 6.2 自动化
 - 7 辅助设施
 - 7.1 压缩空气站
 - 7.2 制氮站
 - 7.3 制氢站
 - 7.4 导热油
 - 7.5 纯水制备
 - 7.6 制冷
 - 7.7 蒸汽
 - 8 建筑结构
 - 8.1 一般规定
 - 8.2 主要生产厂房和辅助用房
 - 8.3 防火、防爆
 - 8.4 洁净设计及装修
 - 8.5 防腐蚀
 - 8.6 结构设计
 - 9 给水、排水和消防
 - 9.1 给水
 - 9.2 排水
 - 9.3 废水处理
 - 9.4 循环冷却水系统
 - 9.5 消防
 - 10 采暖、通风与空气调节
 - 10.1 一般规定
 - 10.2 通风
 - 10.3 空气调节与净化
 - 10.4 防排烟
 - 10.5 空调冷热源
 - 11 环境保护、安全和卫生
 - 11.1 环境保护
 - 11.2 安全
 - 11.3 卫生
 - 12 节能、余热回收
 - 12.1 一般规定
 - 12.2 生产工艺
 - 附录A 地下管线与建(构)筑物之间的最小水平净距
 - 附录B 地下管线之间的最小水平净距
 - 附录C 主要房间空气洁净度、温度、湿度
 - 本规范用词说明
 - 引用标准名录
 
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